Tower Semiconductor ทุ่ม 4 พันล้านดอลลาร์ปั้นญี่ปุ่นเป็นฮับชิปแสง

Tower Semiconductor เตรียมร่วมทุนกับรัฐบาลญี่ปุ่นมูลค่ารวม 4 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ เพื่อปรับโฉมโรงงานในญี่ปุ่นให้เป็นฐานการผลิตชิปสำหรับการเชื่อมต่อทางแสงขนานใหญ่ โดยตั้งเป้าเพิ่มกำลังการผลิตให้สูงถึง 45,000 เวเฟอร์ต่อเดือน (เทียบเท่าขนาด 300 มม.) ภายในปี 2029 ซึ่งมากกว่าระดับในปี 2025 ถึง 40 เท่า

แผนงานแบ่งเป็น 2 ระยะ โดยระยะแรกจะปรับปรุงโรงงาน Fab 6 ที่หยุดนิ่งในจังหวัดนีงาตะให้เป็นฐานผลิต Silicon Photonics (SiPho) และการแพ็คเกจจิ้งขั้นสูง พร้อมขยายกำลังผลิตโรงงาน Fab 7 ในจังหวัดโทยามะ ซึ่งปัจจุบันผลิตชิปกลุ่ม SiGe และ SiPho เพื่อรองรับความต้องการที่พุ่งสูงขึ้นในอุตสาหกรรม AI

ระยะที่สองบริษัทจะสร้างโรงงานขนาด 300 มม. แห่งใหม่เพิ่มเติมติดกับ Fab 7 เพื่อเพิ่มศักยภาพการผลิตชิปส่งข้อมูลทางแสงโดยเฉพาะ

ทั้งนี้ Tower เป็นผู้ครองตลาดรับจ้างผลิตชิปสื่อสารทางแสงสำหรับเซิร์ฟเวอร์กว่า 80% และมีลูกค้ารายใหญ่คือ Marvell การลงทุนครั้งนี้จึงเป็นกุญแจสำคัญในการรักษาฐานลูกค้า

โครงการนี้ได้รับการสนับสนุนเงินทุนจากกระทรวงเศรษฐกิจ การค้า และอุตสาหกรรม (METI) ของญี่ปุ่นจำนวน 1 พันล้านดอลลาร์ และอีก 3 พันล้านดอลลาร์มาจากบริษัทเอง โดยเป็นส่วนหนึ่งของการปรับโครงสร้างการดำเนินงานในญี่ปุ่นจากการร่วมทุนกับ Panasonic และ Nuvoton ในอดีต มาเป็นการเข้าถือหุ้นและควบคุมการผลิตด้วยตนเองอย่างเต็มตัว