SK hynix เลื่อนการใช้ Hybrid Bonding ไปเป็นยุค HBM5 หลังเผชิญข้อจำกัดความหนา 775 ไมครอน

ในงาน Hot Chips 2026 ทาง SK hynix ได้เปิดเผยถึงแผนการพัฒนาเทคโนโลยีหน่วยความจำ โดยระบุว่าเทคโนโลยีการเชื่อมต่อแบบ Hybrid Bonding ที่ทั่วโลกเฝ้ารออาจจะไม่ถูกนำมาใช้ในยุค HBM4E แต่จะถูกเลื่อนออกไปใช้ในยุค HBM5 เป็นอย่างเร็วที่สุด เนื่องจากบริษัทจะยังคงใช้เทคโนโลยี MR-MUF ต่อไปในแพลตฟอร์ม Nvidia Rubin

ข้อจำกัดสำคัญทางฟิสิกส์คือความหนาของ HBM stack ที่ถูกกำหนดไว้ไม่เกิน 775 ไมครอน ซึ่งเป็นความหนามาตรฐานของเวเฟอร์ตรรกะขนาด 300 มม. ส่งผลให้เมื่อมีการเพิ่มจำนวนชั้นของ DRAM เป็น 16 ชั้น หรือ 20 ชั้น ผู้ผลิตต้องทำให้แผ่นได (die) บางลงและลดระยะห่างระหว่างชั้นลง ซึ่งเป็นความท้าทายอย่างมากในการจัดการความร้อนและการบิดตัวของแผ่นซิลิคอน

SK hynix ยังได้นำเสนอแนวคิด iHBM ซึ่งเป็นสถาปัตยกรรมระบายความร้อนใหม่ที่ฝังบล็อกนำความร้อนเข้าไปในฐานของหน่วยความจำ โดยระบุว่าสามารถลดแรงต้านทานความร้อนได้มากกว่า 30% อย่างไรก็ตาม เทคโนโลยีนี้จำเป็นต้องมีการออกแบบร่วมกับลูกค้าตั้งแต่เริ่มต้นและไม่สามารถนำไปประยุกต์ใช้กับผลิตภัณฑ์รุ่นที่อยู่ในขั้นตอนการออกแบบไปแล้วได้

สำหรับการเปลี่ยนผ่านสู่ Hybrid Bonding นั้น คาดว่าจะเกิดขึ้นจริงในช่วงปี 2029 ถึง 2030 ในยุค HBM5 ซึ่งจะช่วยลดแรงต้านทานความร้อนได้ประมาณ 35% เมื่อเทียบกับ MR-MUF ในระดับ 20 ชั้น และช่วยให้แผ่นไดหนาขึ้นได้อีก 24% เนื่องจากไม่ต้องใช้ micro-bumps ในการเชื่อมต่อ

ปัจจุบัน SK hynix ยังคงครองส่วนแบ่งคำสั่งซื้อ HBM สำหรับแพลตฟอร์ม Nvidia Rubin ถึงราว 70% โดยเลือกใช้เทคโนโลยี MR-MUF ทั้งหมด ในขณะที่คู่แข่งอย่าง Samsung ได้ประกาศความมุ่งมั่นที่จะใช้ Hybrid Bonding ในยุค HBM4 ซึ่งต้องจับตาดูต่อไปว่าแนวทางที่แตกต่างกันนี้จะส่งผลต่อตลาดหน่วยความจำ AI อย่างไร