GlobalFoundries เปิดตัว FDX Fusion โหนดระดับ 7nm หลังทิ้ง FinFET นาน 7 ปี

GlobalFoundries กลับมาพัฒนาเทคโนโลยีการผลิตระดับ 7nm อีกครั้งในชื่อ FDX Fusion หลังจากที่เคยยุติการพัฒนาเทคโนโลยี FinFET ไปเมื่อปี 2018 โดยครั้งนี้หันมาใช้โครงสร้าง Planar Transistors บนเทคโนโลยี FD-SOI แทน ซึ่งเน้นการรวมฟังก์ชันที่หลากหลายและประสิทธิภาพด้านพลังงานมากกว่าการทำความเร็วสูงสุด

โหนด FDX Fusion ถูกออกแบบมาเพื่อรองรับอุปกรณ์ Edge AI, ยานยนต์, อุตสาหกรรม และเซนเซอร์ต่างๆ โดยให้ความหนาแน่นของทรานซิสเตอร์สูงกว่ากระบวนการ 22FDX เดิมมากกว่า 2 เท่า อีกทั้งยังรองรับการรวมวงจร RF, Analog, หน่วยความจำแบบฝัง (eNVM) และ In-memory Computing ไว้ในชิปตัวเดียวได้อย่างมีประสิทธิภาพ

บริษัทวางแผนผลิตชิป FDX Fusion ที่โรงงานในเมืองเดรสเดน ประเทศเยอรมนี ภายในปี 2028 เพื่อให้ยุโรปมีฐานการผลิตชิปขั้นสูงของตนเองโดยไม่ต้องพึ่งพาโรงงานในเอเชียหรือสหรัฐฯ เพียงอย่างเดียว ซึ่งขณะนี้มีบริษัทชั้นนำอย่าง BMW, Bosch, Infineon และ Tesla แสดงความสนใจในเทคโนโลยีนี้แล้ว

อย่างไรก็ตาม ความสำเร็จของ FDX Fusion ยังขึ้นอยู่กับระบบนิเวศของเครื่องมือออกแบบ (EDA) และ IP ต่างๆ รวมถึงความสามารถในการแข่งขันกับโหนด 7nm FinFET ของเจ้าตลาดที่มีอยู่เดิม โดย GlobalFoundries มีกำหนดส่งมอบชิปตัวอย่างให้ลูกค้าทดสอบในช่วงต้นปี 2027 ก่อนเริ่มการผลิตจริงในลำดับถัดไป