Micron เผยแผน DRAM และ NAND รุ่นใหม่ ชูเทคโนโลยี High-NA EUV

Micron เปิดเผยแผนพัฒนา DRAM และ NAND ในอนาคต โดยเตรียมนำเทคโนโลยี High-NA EUV lithography และวัสดุใหม่ๆ มาใช้เพื่อทลายขีดจำกัดด้านขนาดอะตอมของหน่วยความจำแบบระนาบ พร้อมทั้งมุ่งสู่การผลิต 3D DRAM เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพและความจุให้สูงขึ้นในต้นทุนที่เหมาะสม

บริษัทตัดสินใจยกเลิกแผนพัฒนาเซลล์หน่วยความจำแบบ 4F2 เนื่องจากพบข้อจำกัดในการขยายขนาด และหันไปทุ่มเทให้กับกระบวนการผลิตระดับ 1δ (1-delta) ซึ่งคาดว่าจะเริ่มผลิตจำนวนมากได้ในช่วงครึ่งหลังของปี 2027 โดยจะใช้เทคโนโลยี EUV เข้ามาช่วยเพิ่มความหนาแน่นของข้อมูลได้มากกว่า 20% เมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า

ไฮไลต์สำคัญคือการกลับมาของหน่วยความจำแบบ Custom ที่ออกแบบร่วมกับลูกค้าโดยเฉพาะ เช่น HBM4E และ HBM5 รวมถึงสถาปัตยกรรมแนวตั้งอย่าง vHBM และ vEIM ที่จะติดตั้งหน่วยความจำลงบนตัวประมวลผลโดยตรง เพื่อเพิ่มแบนด์วิดท์ระดับ 2 TB/s และลดการใช้พลังงานให้ต่ำกว่า 1 picojoule ต่อบิต

สำหรับเทคโนโลยี NAND ทาง Micron เตรียมเปิดตัว G11 3D NAND ที่มีเลเยอร์มากกว่า 400 ชั้น โดยใช้การเชื่อมต่อแบบ wafer-on-wafer bonding ซึ่งจะช่วยเพิ่มความเร็ว I/O ขึ้น 50% และลดการใช้พลังงานลง 25% โดยมีกำหนดการผลิตในช่วงครึ่งหลังของปี 2027 เช่นกัน

นอกจากนี้บริษัทยังซุ่มพัฒนา AI-oriented NAND ที่เน้นประสิทธิภาพ IOPS สูงพิเศษสำหรับการสืบค้นข้อมูลเวกเตอร์และการวิเคราะห์กราฟ โดยตั้งเป้าประสิทธิภาพไว้ที่ 25 ล้านถึง 100 ล้าน IOPS เพื่อรองรับภาระงานด้าน AI ที่มีความซับซ้อนในอนาคต