tag: 3D NAND

Micron เปิดแผนโร้ดแมปเทคโนโลยีหน่วยความจำยุคใหม่ มุ่งเน้นการใช้ 3D DRAM, High-NA EUV และการปรับแต่งชิปแบบ Custom เพื่อรองรับความต้องการของระบบ AI

Micron เตรียมผลิต G11 3D NAND ในปี 2027 โดยมาพร้อมสถาปัตยกรรมระดับ 400 ชั้นที่ให้ประสิทธิภาพ I/O สูงขึ้น 50% และประหยัดพลังงานกว่าเดิม

SK hynix เสนอสร้างโรงงานผลิตชิปในสหรัฐฯ โดยมีเงื่อนไขให้รัฐบาลทรัมป์อนุญาตส่งออกเครื่องมือผลิตชิปไปยังโรงงาน Solidigm ในเมืองต้าเหลียนของจีน

ศาลเยอรมนีสั่งคุ้มครองชั่วคราวให้ YMTC หลังตัดสินว่า Micron ละเมิดสิทธิบัตร 3D NAND ซึ่งอาจส่งผลกระทบต่อการจัดจำหน่ายในตลาดยุโรป