Micron เปิดตัว G11 3D NAND รุ่นใหม่ เพิ่มความหนาแน่น 2 เท่า

Micron ประกาศเปิดตัว G11 3D NAND เทคโนโลยีหน่วยความจำยุคถัดไปที่เตรียมเข้าสู่กระบวนการผลิตจำนวนมากในช่วงครึ่งหลังของปี 2027 โดยชูจุดเด่นที่การเพิ่มความหนาแน่นของความจุขึ้นเป็นสองเท่า และยกระดับประสิทธิภาพการรับส่งข้อมูล (I/O) ให้สูงขึ้นถึง 50% เมื่อเทียบกับเทคโนโลยี G9 ในปัจจุบัน

หัวใจสำคัญของเทคโนโลยี G11 คือการใช้โครงสร้างมากกว่า 400 ชั้น ร่วมกับการนำเทคนิค wafer-on-wafer bonding มาใช้เป็นครั้งแรก ซึ่งช่วยให้สามารถแยกการผลิตส่วนเก็บข้อมูลและส่วนวงจรควบคุมออกจากกันก่อนนำมาประกบกันในภายหลัง ส่งผลให้เพิ่มความเร็ว interface ได้สูงสุดถึง 5400 MT/s และลดการใช้พลังงานต่อบิตลงได้มากกว่า 25%

การพัฒนานี้มีเป้าหมายเพื่อตอบโจทย์ความต้องการของอุปกรณ์เก็บข้อมูลในกลุ่ม Client SSD และศูนย์ข้อมูลยุคใหม่ที่เน้นงานด้าน AI ซึ่งต้องการแบนด์วิดท์ที่สูงและประหยัดพลังงาน นอกจากนี้บริษัทยังมีแผนขยายขนาด 3D NAND ในอนาคตผ่านการพัฒนาวัสดุใหม่ๆ และปรับปรุงสถาปัตยกรรมเซลล์ให้มีความหนาแน่นสูงยิ่งขึ้นอย่างต่อเนื่อง