Micron เผยแผนใช้เทคโนโลยี Wafer Bonding และ High-NA EUV พัฒนา DRAM

Micron ประกาศแผนการขยายขีดจำกัดของเทคโนโลยี DRAM หลังจากยกเลิกการใช้เซลล์หน่วยความจำแบบ 4F2 โดยบริษัทเลือกที่จะหันไปใช้เทคโนโลยี Wafer Bonding ในกระบวนการผลิตระดับ 1ε (one epsilon) และเตรียมนำเครื่อง High-NA EUV มาใช้ในยุคถัดไปอย่าง ζÅ (zeta angstrom) และ ηÅ (eta angstrom)

ปัจจุบันกระบวนการผลิตแบบ 1γ อยู่ในขั้นตอนการผลิตจำนวนมากแล้ว ส่วนเทคโนโลยี 1δ มีกำหนดเริ่มผลิตในช่วงครึ่งหลังของปี 2027 ซึ่งจะช่วยเพิ่มความหนาแน่นของบิตขึ้นประมาณ 20% เพื่อรองรับผลิตภัณฑ์กลุ่ม AI เช่น HBM5 รวมถึงหน่วยความจำรูปแบบใหม่ที่บริษัทกำลังพัฒนาควบคู่ไปกับ 3D DRAM

นวัตกรรมสำคัญที่ Micron กำลังซุ่มพัฒนาคือหน่วยความจำแนวตั้งอย่าง vHBM และ vEIM ซึ่งจะถูกนำไปติดตั้งไว้บนตัวโปรเซสเซอร์โดยตรง เพื่อลดความหน่วงและเพิ่มแบนด์วิดท์ในการรับส่งข้อมูล โดย vHBM จะเน้นใช้กับเครื่องเร่งความเร็ว AI ส่วน vEIM จะเน้นประสิทธิภาพพลังงานสำหรับอุปกรณ์ Edge AI เช่น รถยนต์ไร้คนขับและหุ่นยนต์

การพัฒนาหน่วยความจำแนวตั้งเหล่านี้จำเป็นต้องใช้เทคโนโลยีบรรจุภัณฑ์ขั้นสูงอย่าง Hybrid Bonding เพื่อความหนาแน่นในการเชื่อมต่อ และต้องมีการจัดการด้านความร้อนที่ซับซ้อนขึ้น ซึ่งการเปลี่ยนแปลงนี้ทำให้หน่วยความจำเปลี่ยนสถานะจากสินค้าโภคภัณฑ์ทั่วไป กลายเป็นส่วนประกอบสำคัญที่ต้องออกแบบร่วมกับหน่วยประมวลผลอย่างใกล้ชิด