CXMT ยักษ์ใหญ่จีนเตรียมสร้างโรงงาน DRAM แห่งที่ 6 ตั้งเป้าครองส่วนแบ่งตลาด 30% ในปี 2030

ChangXin Memory Technologies (CXMT) ผู้ผลิตหน่วยความจำชั้นนำของจีน กำลังพิจารณาสร้างโรงงานผลิต DRAM (Fab) แห่งที่ 6 ในเขตอี้จวง กรุงปักกิ่ง หลังจากประสบความสำเร็จในการระดมทุน IPO มูลค่า 8,600 ล้านดอลลาร์เมื่อเดือนกรกฎาคมที่ผ่านมา โดยโครงการนี้มีเป้าหมายเพื่อเพิ่มกำลังการผลิตรวมให้มากกว่า 600,000 แผ่นเวเฟอร์ต่อเดือน ซึ่งเป็นการเพิ่มขึ้นจากปัจจุบันถึงสองเท่า

การขยายตัวครั้งนี้สอดคล้องกับการคาดการณ์ของนักวิเคราะห์ที่ระบุว่า จีนอาจครองส่วนแบ่งตลาด DRAM ทั่วโลกได้ถึง 30% ภายในปี 2030 โดยมีปัจจัยหนุนจากการที่ผู้ผลิตระดับโลกอย่าง Samsung และ SK hynix หันไปให้ความสำคัญกับชิปสำหรับ AI มากขึ้น ส่งผลให้แบรนด์คอมพิวเตอร์อย่าง Lenovo, HP, Dell, Acer และ Asus เริ่มพิจารณาหรือใช้งานชิปจาก CXMT ในผลิตภัณฑ์ที่วางจำหน่ายในจีน

ความสำเร็จของโครงการนี้ได้รับการสนับสนุนทางการเงินอย่างหนักจากรัฐบาลท้องถิ่นและรัฐบาลกลางภายใต้ "Hefei Model" ซึ่งมุ่งเน้นการเปลี่ยนเมืองให้เป็นศูนย์กลางทางเศรษฐกิจผ่านโครงการเทคโนโลยีขั้นสูง โดย CXMT กำลังเจรจาขอรับการสนับสนุนเบื้องต้นประมาณ 60 ล้านหยวนจากเขตพัฒนาเศรษฐกิจปักกิ่งเพื่อดำเนินการสร้างโรงงานแห่งใหม่นี้

อย่างไรก็ตาม การเติบโตของ CXMT ยังเผชิญกับอุปสรรคสำคัญจากการควบคุมการส่งออกของสหรัฐฯ ที่จำกัดการเข้าถึงเครื่องมือผลิตชิปขั้นสูง (ต่ำกว่า 18 นาโนเมตร) รวมถึงข้อจำกัดด้านบุคลากรผู้เชี่ยวชาญ และความพยายามของนักการเมืองสหรัฐฯ ที่จะแบนการใช้หน่วยความจำจากจีนในห่วงโซ่อุปทานระดับโลก ซึ่งอาจส่งผลต่อความคุ้มค่าในการลงทุนระยะยาวหากอุปสงค์ถูกจำกัดอยู่เพียงแค่ภายในประเทศ