GlobalFoundries เปิดตัว FDX Fusion เทคโนโลยี 7nm โดยไม่ใช้ EUV

GlobalFoundries ประกาศความคืบหน้าเทคโนโลยีการผลิตใหม่ FDX Fusion ที่พัฒนาบนฐาน FD-SOI โดยมุ่งเน้นประสิทธิภาพระดับ 7nm และความหนาแน่นลอจิกเทียบเท่า 8nm แต่ยังคงใช้ทรานซิสเตอร์แบบ Planar ขั้นสูง แทนการใช้ FinFET และไม่ต้องใช้เครื่องมือ EUV ในกระบวนการผลิต ทำให้ช่วยลดต้นทุนการออกแบบและค่าชุดหน้ากาก (Mask set) ลงได้อย่างมาก

Sudipto Bose รองประธานหน่วยธุรกิจ FD-SOI ระบุว่าเทคโนโลยีนี้ถูกออกแบบมาเพื่อรองรับอุปกรณ์ Connectivity เช่น Wi-Fi และ 5G รวมถึง Edge AI, เรดาร์ในยานยนต์ และระบบรับส่งข้อมูลใน Data Center โดย FDX Fusion จะให้ประสิทธิภาพสูงขึ้น 30% และใช้พลังงานน้อยลง 40% เมื่อเทียบกับเทคโนโลยี 22FDX เดิม พร้อมรองรับเทคโนโลยี Adaptive Body Biasing (ABB) อย่างเต็มรูปแบบ

ในด้านการผลิต FDX Fusion จะมีความหนาแน่นของทรานซิสเตอร์อยู่ที่ 56 ล้านตัวต่อตารางมิลลิเมตร ซึ่งเทียบเท่ากับโหนดระดับ 8nm ของ Samsung โดยทางบริษัทเลือกใช้ชื่อ Fusion แทนการระบุตัวเลขนาโนเมตร เพื่อให้ลูกค้าเห็นถึงความยืดหยุ่นในการปรับแต่งคุณสมบัติระหว่างพลังงานและประสิทธิภาพตามความต้องการของแต่ละแอปพลิเคชัน

GlobalFoundries วางแผนจะเริ่มการผลิตเบื้องต้นสำหรับลูกค้ารายแรกในปี 2028 และตั้งเป้าเข้าสู่การผลิตจำนวนมาก (High-volume manufacturing) ภายในปี 2030 ที่โรงงานในเมือง Dresden ประเทศเยอรมนี โดยขณะนี้กำลังทำงานร่วมกับพันธมิตรด้านซอฟต์แวร์ EDA และผู้ผลิตเครื่องมือ เพื่อเตรียมความพร้อมของระบบนิเวศการออกแบบให้เสร็จสมบูรณ์ภายในกลางปี 2027