TSMC เผยกระบวนการผลิต A14 พัฒนารุดหน้าเกินคาด เตรียมผลิตระดับ 1.4 นาโนเมตร

TSMC เปิดเผยความคืบหน้าของกระบวนการผลิตระดับ A14 (1.4 นาโนเมตร) ว่ามีการพัฒนาที่รวดเร็วกว่าแผนที่วางไว้ โดยปัจจุบันมีประสิทธิภาพของอุปกรณ์และอัตราผลตอบแทน (Yield) ของหน่วยความจำ SRAM ขนาด 256Mb เข้าใกล้ระดับ 90% ซึ่งถือเป็นความก้าวหน้าอย่างมากเมื่อเทียบกับช่วงเวลาเดียวกันของการพัฒนาโหนด N2 (2 นาโนเมตร)

ความสำเร็จนี้เป็นผลมาจากประสบการณ์ที่เพิ่มขึ้นในการใช้ทรานซิสเตอร์แบบ Gate-all-around (GAA) รุ่นที่ 2 โดย A14 ถูกออกแบบมาให้มีประสิทธิภาพสูงขึ้น 10-15% หรือประหยัดพลังงานลง 25-30% เมื่อเทียบกับ N2 นอกจากนี้ยังเพิ่มความหนาแน่นของทรานซิสเตอร์ได้สูงสุดถึง 23%

ทั้งนี้ TSMC พบว่ามีความต้องการใช้งานอย่างสูงจากกลุ่มลูกค้าสมาร์ทโฟนและ AI/HPC โดยมีการเตรียมการออกแบบชิปล่วงหน้าก่อนกำหนด แม้ว่าการผลิตจำนวนมาก (Mass Production) จะมีกำหนดการเดิมอยู่ในช่วงครึ่งหลังของปี 2028 แต่ความก้าวหน้าที่รวดเร็วนี้อาจส่งผลให้การผลิตจริงเกิดขึ้นได้เร็วกว่าที่คาดการณ์ไว้